Изобретения
Помимо изобретения светодиода, Ник Холоньяк получил 41 патент на другие изобретения. К ним относятся красный полупроводниковый лазер, обычно называемый лазерным диодом (он используется в CD и DVD-плеерах и сотовых телефонах) и p-n-p-n ключ с замкнутым эмиттером (используется в диммерах и электроинструментах). Он непосредственно участвовал в создании первого диммера фирмы General Electric.
В 2006 году Американский институт физики по случаю своего 75-летия выбрал пять наиболее важных статей, опубликованных в своих журналах. Две из этих пяти статей, опубликованных в журнале Applied Physics Letters, были написаны в соавторстве с Холоньяком. Первая, написанная в соавторстве с С. Ф. Бевакуа в 1962 году, сообщала о создании первого светодиода видимого света. Вторая, написанная в соавторстве с Милтоном Фэнгом в 2005 году, известила о создании транзисторного лазера, работающего при комнатной температуре. В февральском номере Reader's Digest в 1963 г. Холоньяк предсказал, что светодиоды заменят традиционные лампы накаливания, поскольку превосходят их по качеству и эффективности.
Биография
Родители Холоньяка, украинцы, эмигрировали из Закарпатья в Соединённые Штаты и обосновались на юге штата Иллинойс. Отец работал на угольной шахте. Ник первым из членов семьи получил школьное образование. Однажды ему пришлось работать 30 часов подряд на железной дороге, и он понял, что тяжёлый труд — это не то, что ему нравится, он предпочёл бы вместо этого пойти в школу. Как остроумно заметили в публикации издательства Knight Ridder «дешёвые и надёжные полупроводниковые лазеры, без которых немыслимы DVD-проигрыватели, считыватели штрих-кодов и множество других устройств, обязаны своим существованием в некоторой степени большим нагрузкам на железнодорожные бригады несколько десятилетий назад».
Холоньяк был первым аспирантом Джона Бардина в Иллинойсском университете в Урбане и Шампейне. Он получил степень бакалавра, магистра и доктора наук (1954) в этом же университета. Он создал первый полупроводниковый лазер видимого света в 1960 году. В 1963 году он снова начал сотрудничество с Бардиным, изобретателем транзистора, и занялся проблемами квантовых ям и лазеров на квантовых ямах.
С 2007 года он заведует унаследованной от Бардина кафедрой электротехники, вычислительной техники и физики в иллинойсском университете в Урбане и Шампейне и проводит исследования по лазерам на квантовых точках. Холоньяк прожил со своей супругой Екатериной 51 год. Он больше не ведёт занятия, но исследованиями занимается полный рабочий день. Вместе с Милтоном Фэнгом они положили начало исследовательскому центру транзисторных лазеров при университете, который финансирует агентство по перспективным оборонным научно-исследовательским разработкам США.
10 из 60 его бывших аспирантов занимаются разработкой новых светодиодных технологий в компании осветительных приборов фирмы Филипс в Силиконовой долине.
Награды
Холоньяк был представлен к наградам Джорджем Бушем (старшим), Джорджем Бушем (младшим), императором Японии Акихито и Владимиром Путиным.
В 1989 году Холоньяк получил медаль Эдисона за «Выдающуюся научную карьеру в области электротехники и большой вклад в развитие полупроводниковых материалов и устройств». Бывший студент Холоньяка Рассел Дюпюи из Технологического института Джорджии получил эту же награду в 2007.
В 1995 году он стал лауреатом полумиллионной Премии Японии за «Выдающийся вклад в научные исследования и практическое применение светодиодов и лазеров».
В 2003 году он был награжден Медалью Почёта IEEE.
Он также получил Международную энергетическую премию «Глобальная энергия» , Национальную медаль за технологии и инновации, орден Линкольна, а в 2004 — премию Лемельсона размером полмиллиона долларов. Он также получил медаль Фредерика Ива оптического общества Америки.
Многие его коллеги выражают уверенность в том, что Холоньяк заслуживает Нобелевскую премию за изобретение светодиода. По этому вопросу Холоньяк говорит: «Смешно думать, что кто-то вам что-то должен. Мы должны быть счастливы дожить до того дня, когда это произойдёт».
9 ноября 2007 года Холоньяк был удостоен установки памятного знака в университетском городке Иллинойса, тем самым был признан его огромный вклад в развитие лазеров на квантовых ямах. Знак расположен в Инженерном Дворике Бардина, на том месте, где стояла старая научно-исследовательская лаборатория электротехники.
В 2008 году Холоньяк был введён в Зал Национальной Славы изобретателей США.
