Фікрет Ісмаїл огли Ісмайлов: біографія

Біографія

Фікрет Ісмайлов народився 3 січня 1935 року в місті Нахічевань Нахічеваньській АРСР в сім'ї вчителя. Закінчив школу № 1 імені Узеіра Гаджибекова в рідному місті. Після закінчення Азербайджанського педагогічного інституту за спеціальністю фізика і математика за розподілом був направлений до Інституту фізики Академії наук Азербайджанської РСР. З 1960 року працював лаборантом, старшим лаборантом, молодшим науковим співробітником, старшим науковим співробітником в Інституті фізики. З 1973 року доктор фізико-математичних наук Ф. Ісмайлов - керівник лабораторії Інституту фізики.

21 листопада 1992 вступив в партію «Новий Азербайджан». Обирався депутатом першого скликання (1995-2000 рр.). Міллі Меджлісу Азербайджану. З 1993 року є головою Ясамальского районного відділення партії «Новий Азербайджан».

29 грудня 2009 Фікрет Ісмайлов розпорядженням Президента Ільхама Алієва нагороджений орденом «Шохрат».

Наукова діяльність

Одним з наукових досягнень вченого є визначення молярних коефіцієнтів ширини забороненої зони в твердих розчинах GaSXSe1-X. Їм розроблена технологія вирощування шаруватих монокристалів AIIIBVI методом «повільного охолодження при постійному градієнті температур». Також в результаті проведених Ф. Ісмайлова досліджень було встановлено, що вилучення теллурових вкюченій методом електрохімічній обробці покращує електрофізичні параметри CdXHg1-XTe і характеристичні параметри (D? * v? S? *) фотоприймачів.

Ф. Ісмайлов - автор 140 опублікованих наукових праць, 19 авторських свідоцтв і патентів. Під його керівництвом захищено 5 кандидатських дисертацій.

Деякі наукові роботи

• Ісмайлов Ф. І.Методика виготовлення ампули для вирощування кристалів в умовах невагомості / /ОСЬ. - 1979. - В. 65.
• Ісмайлов Ф. І.Second Harmonic generation in GaS crystal / /Sol. State.Com-tons. - 1997. - Т. 104. - № 1.
• Ісмайлов Ф. І.Дослідження дифузії домішок в шаруватих напівпровідниках типу AIIIBVI / /Известия АН СРСР, Неорганічні матеріали. - 1989. - Т. 25. - № 9.
• Ісмайлов Ф. І.Investigation of Electrical conductivity and Hall effect in GaSe single crystal / /Phys. Stat. Solid. - 1996. - Т. 17. - С. 237.
• Ісмайлов Ф. І.Дефектна провідність в InSe / /ФТП. - 1981. - Т. 18. - С. 8.

Джерела

• Сторінка на сайті НАН Азербайджану
• Інтерв'ю Ф. Ісмайлова (азерб.)

Комментарии

Сайт: Википедия