Биография
Прошёл путь от студента Московского института стали и сплавов, аспиранта, младшего, старшего научного сотрудника, заведующего проблемной лабораторией, заведующего кафедрой до директора крупнейшего металлургического института страны – «Гиредмет».
В 2000 году защитил докторскую диссертацию по теме «Атомная и электронная структура поверхности и фазообразование в многослойных композициях на основе кремния».
Автор более 200 научных работ, среди которых 3 монографии, 5 патентов, авторские свидетельства. Им созданы: уникальные методы диагностики, физико-химические основы технологии материалов на основе кремния и его соединений, один из самых известных центров исследования строения, состава и свойств неорганических веществ и материалов.
Ведёт большую научно-организационную и педагогическую работу.
Заведующий кафедрой «Материаловедение полупроводников и диэлектриков» МИСиС.
Главный редактор журнала «Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники», член редакционной коллегии научно-технического журнала «Наноиндустрия».
Заместитель председателя диссертационного Совета Д. 212.132.06 при МИСиС, член диссертационного Совета Д. 217.043.01 при «Гиредмете».
Под научным руководством Пархоменко Ю.Н. защищены 4 кандидатских и 1 докторская диссертация. В настоящее время он осуществляет руководство 10 аспирантами.
Является руководителем и инициатором создания в МИСиС научно-исследовательского центра коллективного пользования (ЦКП) «Материаловедение и металлургия» и Объединённого центра коллективного пользования МИСиС и Гиредмета.
В 2005 году Ю.Н. Пархоменко удостоен премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники.
С февраля 2006 года — директор института «Гиредмет». За короткий срок ему удалось стабилизировать финансовое положение института и привлечь интерес заказчиков к научным разработкам института.
Основные научные достижения
- Разработан комплекс методик контроля полупроводниковых материалов, наноматериалов, плёнок и покрытий.
- Создан класс кремний-углеродных металлсодержащих плёнок. Свойства этих плёнок позволяют прогнозировать их широкую востребованность в реальных объектах техники.
- Созданы Si-C наноструктуры методом плазмохимического осаждения (PECVD) и получен упорядоченный массив кремний-углеродных наноигл различных размеров на подложке кремния.
- Впервые методом ионной имплантации германия в подложки кремния получены и исследованы методом атомно-силовой микроскопии, сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии, ИК-спектроскопии и др. наноразмерные самоупорядоченные структуры, доказаны их квантовые свойства.
- Разработан сканирующий зондовый микроскоп для диагностики нанообъектов.
- Развито новое направление, заключающееся в установлении взаимосвязи между атомной и электронной структурой поверхности, закономерностей процессов фазообразования в многослойных композициях на основе кремния.
Монографии
- Герасименко Н. Н., Пархоменко Ю. Н. Кремний — материал наноэлектроники. М., Техносфера, 2007. — 352 с.
Награды
- Медаль «В память 850-летия Москвы»
- Заслуженный работник высшей школы Российской Федерации (2006) — за заслуги в научно-педагогической деятельности и большой вклад в подготовку квалифицированных специалистов
- Медаль «За безупречную службу МИСиС»
- Премия Правительства Российской Федерации в области науки и техники для молодых учёных 2005 года (за разработку и получение кремний-германиевых структур с квантовыми точками методом ионной имплантации)
